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Microscope électronique à balayage (MEB) FEI Inspect F50
Description de l’appareil et de la technique
Le microscope électronique à balayage (MEB) est une technique d’imagerie puissante permettant de caractériser la morphologie (forme, dimension, arrangement de particules, etc.), la topologie de surface (relief, texture, etc.), la composition chimique (ratios relatifs d’éléments chimiques du carbone à l’uranium) et de fournir de précieuses informations cristallographiques (structure atomique) d’un échantillon. Cette technique permet d’analyser d'une multitude d’échantillons de toutes formes, compositions et tailles pour des échantillons stables sous vide. Méthode non destructrice pour des matériaux conducteurs mais destructrice pour des matériaux isolants puisque les échantillons doivent être recouverts d’une mince couche conductrice (carbone ou alliage de palladium).
Grossissements pratiques de 10X à 500,000X
Images en électrons secondaires (SE), rétrodiffusés (BSE) ou cartographies rayons-X
Spectromètre pour l'analyse des rayons-X par dispersion de l'énergie EDAX
Imagerie digitalisée

FEI Inspect F50
Contact
Réservation
Préparation des échantillons
Les échantillons nécessitent certaines préparations pour garantir des résultats conformes.
1. Solides
- surface polie type miroir.
2. Lames minces
- épaisseur minimale de 30 microns
- sections polies: diamètre (D) maximal de 2.5 cm et une hauteur (H) maximale de 3 cm
3. Poudres
- encapsulation dans une section polie: diamètre (D) maximal de 2.5 cm et une hauteur (H) maximale de 3 cm
4. Échantillons non conducteurs
- Métalisation: déposition d’une couche de Au-Pd, Pt-Pd pour imagerie
5. Analyse de composition chimique élémentaire (EDS et WDS)
- déposition d’une couche de carbone
- spectromètre de rayons X à dispersion d'énergie (EDS) pour analyses multi-éléments
- spectromètre de rayon X à dispersion de longueurs d'ondes (WDS) pour analyses éléments par éléments
Pour tout autre type d'échantillons, communiquez avec le responsable de l’instruments pour plus dinformations.